描述了抑制膠體二氧化硅沉積物在磷酸中處理的表面上生長的技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施方案中,所公開的技術(shù)包括使用膠體二氧化硅生長抑制劑作為用于氮化硅蝕刻的磷酸溶液中的添加劑。在一些實(shí)施方案中,所述添加劑可以具有可以含有強(qiáng)陰離子基團(tuán)的化學(xué)品。提供了這樣的方法和裝置:其監(jiān)測在處理期間磷酸溶液中的二氧化硅濃度和/或膠體二氧化硅生長抑制劑濃度,并根據(jù)需要調(diào)節(jié)這些組分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加劑濃度以及二氧化硅濃度的方法和裝置的技術(shù)。本文所述的技術(shù)提供了相對于二氧化硅的高選擇性氮化硅蝕刻,而不使膠體二氧化硅沉積物在暴露的表面上生長。
聲明:
“膠體二氧化硅生長抑制劑以及相關(guān)的方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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