本發(fā)明涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種二硫化鈦薄膜的制備方法。采用
電化學(xué)法在ITO基片上沉積得到二硫化鈦薄膜;施加電壓為65?80V。該方法工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、反應(yīng)條件溫和以及制備效率高等優(yōu)點(diǎn),為其今后在新型光電探測(cè)器的研究開發(fā)提供保障。
聲明:
“二硫化鈦薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)