本發(fā)明公開了相變存儲器
芯片的封裝方法,具體為:首先將需要封裝的芯片固定在封裝管殼內(nèi),然后采用超聲鍵合技術(shù)將芯片的電極與管殼的引腳一一相連,最后使用屏蔽蓋將其與外界隔離。本發(fā)明由于超聲鍵合不需要一個臨界鍵合溫度,可在常溫下進行,因此對相變存儲器芯片本身特性不會有影響;鍵合時不加電流,不發(fā)生熔化,對材料的物理、化學(xué)性能沒有任何影響,不會形成任何化合物而影響器件的性能,能保持其清潔度,不需經(jīng)繁瑣的清洗處理而直接進行封裝,從而達到穩(wěn)定性好、精度高、重復(fù)性好的測試需求。
聲明:
“相變存儲器芯片的封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)