一種同時(shí)改善STI和FG?Poly填充空洞工藝窗口的方法,首先涉及一閃存器件,然后采用有源區(qū)光刻工藝EM的方式,按由左向右的順序定義出從小到大的有源區(qū)尺寸,調(diào)整隔離淺槽開(kāi)口形貌和氮化硅阻擋厚度,并將調(diào)整后的結(jié)果與有源區(qū)尺寸進(jìn)行組合,將組合的晶圓進(jìn)行浮柵的平坦化工藝,然后對(duì)組合的晶圓表面進(jìn)行濕法刻蝕,用掃描電鏡觀測(cè)和調(diào)試尋找最適合的STI和FG填充空洞工藝窗口。在平坦化工藝中采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝,隔離淺槽的開(kāi)口外貌呈錐形,通過(guò)調(diào)整隔離淺槽的開(kāi)口形貌來(lái)調(diào)整STI填充空洞,通過(guò)調(diào)整氮化硅厚度來(lái)調(diào)整FG?Poly填充空洞。
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