本發(fā)明公開了一種層數(shù)均勻且高質(zhì)量二硫化鉬薄膜的制備方法,即使用氯化鉀輔助化學(xué)氣相沉積法在覆蓋有300nm厚度二氧化硅層的硅襯底上制備出大面積單層二硫化鉬薄膜,通過控制不同氯化鉀的量獲得不同尺寸的單層二硫化鉬薄膜。該發(fā)明的優(yōu)勢在于利用氯化鉀能夠有效制備出均勻性較好的高質(zhì)量二硫化鉬薄膜,并且該實(shí)驗(yàn)方法工藝簡單,成本低廉,適合大規(guī)模生產(chǎn),所制備的二硫化鉬薄膜可作為二維透明半導(dǎo)體薄膜被運(yùn)用于光電器件、柔性透明器件、光探測器等領(lǐng)域,此發(fā)明對該電子材料制備及生產(chǎn)具有較高的應(yīng)用價值及意義。
聲明:
“層數(shù)均勻且高質(zhì)量二硫化鉬薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)