本發(fā)明公開了一種通過氧消除增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性的方法，是在半導(dǎo)體材料表面構(gòu)筑抗氧化劑層，或者將抗氧化劑與N型半導(dǎo)體材料共混?？寡趸瘎┣宄齆型半導(dǎo)體中已有的氧及相關(guān)的物種，消除相關(guān)陷阱狀態(tài)，防止N型半導(dǎo)體的進(jìn)一步降解，使得N型半導(dǎo)體器件的遷移率等電學(xué)性能提升，操作穩(wěn)定性和長期存儲穩(wěn)定性均得到提高。此外，抗氧化劑還可抑制N型半導(dǎo)體的光漂白，顯著提高N型半導(dǎo)體的光化學(xué)穩(wěn)定性。通過對比未覆蓋和未混合抗氧化劑的N型半導(dǎo)體器件的性能測試發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的方法所制備的N型半導(dǎo)體器件的遷移率等電學(xué)性能提升，操作穩(wěn)定性和長時間存儲穩(wěn)定性均得到提高。