具有埋層二氧化硅的壓力傳感器生產(chǎn)工藝，包括，首先選定待注入的硅片基體，然后對硅片基體進行高能氧離子注入，然后將注入高能氧離子的硅片基體進行高溫退火，形成20-30nm厚度的二氧化硅埋層，然后對表層進行等離子體增強化學氣相沉積SiN，形成SiN沉積表層，然后將具有SiN沉積表層的硅片基體進行反應(yīng)離子RIE刻蝕引線孔；形成空氣隔離的低溫壓敏電阻，然后對硅片基體的下部區(qū)域進行厚度上的減薄，同時對引線孔進行引線連接形成惠斯通電橋。本發(fā)明提供的新型的二氧化硅埋層的壓力傳感器生產(chǎn)工藝，在單晶硅材料中形成埋層二氧化硅，用以隔離作為測量電路的頂部硅層與體硅之間因溫度升高而造成的漏電流，具有耐高溫、低壓、低功耗的優(yōu)勢。