本發(fā)明公開了一種硒化銅納米顆粒局域表面等離激元的調(diào)控方法,其包括下述步驟:S1、制備Cu
2?xSe溶液,作為涂覆液;S2、將涂覆液涂覆在導(dǎo)電基板上,使Cu
2?xSe附著在導(dǎo)電基板上形成Cu
2?xSe膜;S3、以具有Cu
2?xSe膜的導(dǎo)電基板作為工作電極,以含鋰溶液作為電解質(zhì),構(gòu)建三電極體系;S4、將三電極體系電連接至
電化學(xué)工作站上,以控制鋰離子在Cu
2?xSe中的脫嵌,同時(shí)原位監(jiān)測(cè)Cu
2?xSe膜在750nm~1500nm下的吸收值;在?1.0V~?1.2V下,鋰離子嵌入至Cu
2?xSe內(nèi),LSPR消失,在?0.4V~?0.2V下,鋰離子從Cu
2?xSe中脫出,LSPR恢復(fù)。根據(jù)本發(fā)明的調(diào)控方法,通過在還原電位下嵌入鋰離子減少空穴載流子濃度,降低LSPR吸收直至消失,而在氧化電位下脫出鋰離子,增加載流子濃度恢復(fù)LSPR,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)Cu
2?xSe的LSPR動(dòng)態(tài)、精準(zhǔn)和可逆調(diào)控。
聲明:
“硒化銅納米顆粒局域表面等離激元的調(diào)控方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)