本發(fā)明涉及一種銻?鈰修飾二硫化鉬/氧化銦氣敏材料及其制備方法,屬于傳感器氣敏材料制備領(lǐng)域。所述氣敏材料由銻元素、鈰元素、二硫化鉬、氧化銦構(gòu)成,氧化銦顆粒附著在二硫化鉬片層表面構(gòu)成MoS2/In2O3納米復(fù)合體,銻和鈰原子位于MoS2/In2O3納米復(fù)合體的晶格內(nèi);所述制備所述包括(1)水熱法合成MoS2/In2O3納米
復(fù)合材料;(2)在保護(hù)氣氛下,將銻源、鈰源與MoS2/In2O3納米復(fù)合材料水熱反應(yīng)、離心、干燥、煅燒,即得。本發(fā)明通過銻、鈰的引入有效降低了被測氣體的化學(xué)吸附的活化能,大大提高了氧化銦半導(dǎo)體氣敏材料的比表面積和導(dǎo)電性,增強(qiáng)了氣體分子與材料間的電荷轉(zhuǎn)移,得到了具有優(yōu)異的氣敏材料。
聲明:
“銻-鈰修飾的二硫化鉬/氧化銦四元?dú)饷舨牧霞捌渲苽浞椒ā?該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)