本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器系統(tǒng),其具有由反應(yīng)室壁圍住的反應(yīng)室,所述反應(yīng)室壁的內(nèi)表面被布置為朝向所述室的內(nèi)部。至少一部分所述壁為朝向所述室的熱控層,并且所述熱控層由材料例如電解沉積的鎳構(gòu)成,所述材料在300K下測得的發(fā)射系數(shù)為0.1以下并且硬度為至少3.5Moh。使用這樣的CVD反應(yīng)器系統(tǒng)從富含硅的氣體生產(chǎn)
多晶硅。
聲明:
“多晶硅生產(chǎn)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)