本發(fā)明涉及一種脈沖激光沉積制備片狀納米氧化鈷陣列電極材料的方法及其應(yīng)用。以脈沖激光沉積法制得的Co、Al雙金屬氧化物薄膜為前驅(qū)物,將其在3MNaOH溶液中充分腐蝕出去
氧化鋁,即可得到片狀納米氧化鈷陣列薄膜。本發(fā)明
電化學(xué)性能測(cè)試結(jié)果表明此薄膜電極具有較高的比電容,極佳的倍率特性和優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,在超級(jí)電容器電極材料方面具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“脈沖激光沉積制備片狀納米氧化鈷陣列電極材料的方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)