本發(fā)明公開了一種用于氣敏材料的多孔硅/氧化鎢納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法，首先采用p型單晶硅作為基底，利用雙槽電化學(xué)的方法在基底表面制備多孔硅層；再以金屬鎢作為耙材，利用磁控濺射的方法在多孔硅表面沉積金屬鎢薄膜；最后，在水平管式爐中，以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應(yīng)氣體，600～750℃條件下，制得多孔硅/氧化鎢納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)的氣敏材料。本發(fā)明降低了制備氧化鎢納米線生長溫度，顯著提高了復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏材料的比表面積，在150℃的條件下對(duì)2ppm?NO2的靈敏度為4.76，具有制備工藝簡單，易于控制，成本低廉以及對(duì)NO2高靈敏度探測等優(yōu)點(diǎn)。