本發(fā)明提供了在大氣壓下使用化學(xué)氣相沉積(CVD)在平坦化的基材上生長大尺寸的均勻的
石墨烯層的方法;按照這些方法生產(chǎn)的石墨烯可以具有超過95%的單層含量。通過本發(fā)明方法制造的場效應(yīng)晶體管所具有的室溫空穴遷移率比生長在可商購的銅箔基材上的樣品所測得的室溫空穴遷移率高2-5倍。
聲明:
“大規(guī)模石墨烯片:包含它的制品、組合物、方法以及器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)