本發(fā)明公開了一種高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法,屬于晶體生長技術領域。該方法首先將
菱鎂礦石提純化處理,得到高純的重燒氧化鎂;重燒氧化鎂經破碎、磁選、分篩后得到分級氧化鎂粉體;按照最大密度的堆積原則,將分級氧化鎂粉體級配混合,然后將10~50噸混合料一次性裝入單晶生長爐體中;在溫度2800~3500℃、電流2萬安培條件下冶煉20~50小時;自然冷卻后剝離外層的多晶氧化鎂層,得到氧化鎂單晶塊,再通過分選,即可得到高純大尺寸氧化鎂單晶。本發(fā)明方法可以生產高純度(≥99.99%)、大尺寸(≥2英寸)氧化鎂單晶,且該方法制備工藝簡單,對原料來源和設備及工藝條件的要求低,有利于推廣應用。
聲明:
“高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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