一種銀或金納米粒子膜拉曼
芯片定標(biāo)無(wú)損質(zhì)檢方法與設(shè)備,所述拉曼芯片在紫外可見(jiàn)平行光束中檢測(cè)消光(Extinction)吸收光譜SPR主峰高度HSPR,采用HSPR~HRs定標(biāo)方法,用定標(biāo)樣品的拉曼光譜中定標(biāo)峰的高度HRS間接表征所述拉曼芯片的靈敏度質(zhì)量;HSPR~HRS定標(biāo)曲線,需檢測(cè)至少5種不同靈敏度的HSPR值之后,相繼檢測(cè)定標(biāo)樣品如R6g?10?6M/L的拉曼光譜中的定標(biāo)峰高HRS,創(chuàng)建HSPR~HRS定標(biāo)曲線,根據(jù)所述拉曼芯片質(zhì)檢達(dá)標(biāo)規(guī)范制定質(zhì)控限,實(shí)施所述拉曼芯片定標(biāo)無(wú)損質(zhì)檢。無(wú)損質(zhì)檢過(guò)程中,為防止拉曼芯片在空氣中氧化損傷,需設(shè)置在硝酸銀溶液環(huán)境中完成,或真空環(huán)境中、或惰性氣體中完成。
聲明:
“銀或金納米粒子膜拉曼芯片定標(biāo)無(wú)損質(zhì)檢方法與設(shè)備” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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