一種無損檢驗方法包括 : 第一步, 產(chǎn)生波長范圍從 300nm到1200nm的激光, 并產(chǎn)生會聚到預定光束直徑的激光束 第二步, 在生產(chǎn)過程期間, 預定電連接裝置構(gòu)成用于使在激光束 照射到包括晶片狀態(tài)和安裝狀態(tài)的襯底中至少待檢驗的半導 體
芯片中形成的p-n結(jié)和該p-n結(jié)附近時由OBIC現(xiàn)象產(chǎn)生 的OBIC(光束感應電流)電流通過的預定電流通路; 第三步, 在照 射激光束時掃描半導體芯片的預定區(qū); 第四步, 磁通檢測裝置檢 測在第三步驟中掃描的每個照射點由激光束產(chǎn)生的OBIC電流 感應的磁通; 第五步, 根據(jù)第四步中檢測的所述磁通確定包括所 述半導體芯片的照射點的電流通路中是否存在包括斷線缺陷 的電阻增加缺陷, 或包括短路缺陷的泄漏缺陷。
聲明:
“無損檢驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)