倒裝焊芯片焊點(diǎn)缺陷雙熱像儀紅外測(cè)溫檢測(cè)法，涉及一種芯片焊點(diǎn)缺陷的檢測(cè)方法。針對(duì)現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)無(wú)法滿足生產(chǎn)實(shí)際需求的缺陷，本發(fā)明按照如下方法檢測(cè)倒裝焊芯片焊點(diǎn)缺陷：在倒裝芯片的一側(cè)設(shè)置一個(gè)熱像儀A，在基底一側(cè)設(shè)置一個(gè)熱像儀B和紅外激光器，激光光束直徑略小于焊盤，將紅外激光束對(duì)準(zhǔn)倒裝芯片基底待測(cè)焊盤，調(diào)整好功率和脈寬參數(shù)，對(duì)之施以熱激勵(lì)，熱像儀A和熱像儀B同時(shí)實(shí)時(shí)分別檢測(cè)激光光點(diǎn)照射基底焊盤處與相應(yīng)的芯片焊球區(qū)的溫升過(guò)程，同時(shí)觀察和拍攝溫升最高點(diǎn)的熱圖像，根據(jù)溫升曲線或熱像圖判斷倒裝焊芯片焊點(diǎn)缺陷。本發(fā)明的倒裝焊芯片焊點(diǎn)虛焊檢測(cè)法采用逐點(diǎn)檢測(cè)的方法，具有無(wú)損、缺陷高辨識(shí)率、判別直觀簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。