本發(fā)明涉及一種重?fù)诫sp型SiC晶片缺陷的檢測方法,屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域,當(dāng)摻雜濃度低,晶片透明,采用光學(xué)顯微鏡等無損觀察其缺陷;當(dāng)摻雜濃度高時,晶片不透明,采用熔融狀態(tài)下的KOH或NaOH或其他堿的熔融液,對p型SiC進(jìn)行腐蝕,然后在顯微鏡下觀察腐蝕坑,進(jìn)而可以表征晶體缺陷。根據(jù)腐蝕坑的大小、深度、形狀和密度可以判定晶體缺陷的種類以及晶體質(zhì)量。本申請采用了光學(xué)無損檢測和堿液熔融腐蝕相結(jié)合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息,最大程度降低了材料損失,并提高了分析效率。
聲明:
“重?fù)诫sp型SiC晶片缺陷的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)