本發(fā)明公開了一種基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化的方法，涉及無損檢測信號處理領域，包括：利用一個極板間距為S的探頭接收包括非導電材料開口缺陷在內的輸入單對電極電容成像連續(xù)n個位置處的檢測信號電壓值U
n，對所述n個點求檢測信號電壓值對檢測位置X
n的導數(shù)ΔU
n＝(U
n+1?U
n)/(X
n+1?X
n)，并繪制所述檢測信號電壓值導數(shù)ΔU
n關于檢測位置X
n的曲線；獲取檢測信號導數(shù)ΔU
n關于檢測位置X
n的導數(shù)曲線的最大值點X
max點和最小值點X
min，最大值點與最小值點之間的距離為L＝|X
max?X
min|，非導電材料開口缺陷寬度方向的尺寸為D＝L?S。本發(fā)明通過對單對電極電容成像檢測信號進行求導處理，進一步實現(xiàn)對非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸進行量化。
聲明：
“基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月21日 ~ 23日 
