本發(fā)明公開了一種具有晶體結(jié)構(gòu)檢測及原位修復功能的裝置,其采用連續(xù)激光對半導體薄膜材料的散射光譜進行激發(fā)和采集,能夠快速、無損地判斷半薄膜材料整體及局部區(qū)域的晶體質(zhì)量,然后通過皮秒、飛秒等超短脈沖高能激光束對半導體薄膜材料中晶體質(zhì)量較差的區(qū)域進行輻射,從而激發(fā)薄膜材料相應區(qū)域中的原子發(fā)生重構(gòu),最終實現(xiàn)對半導體薄膜材料檢測區(qū)域晶體結(jié)構(gòu)的原位修復?;诔堂}沖激光作用時間短、熱影響范圍小、能量密度高的特點,結(jié)合氣氛及溫壓條件的控制,該裝置能夠快速且有針對性地實現(xiàn)大尺寸半導體薄膜材料表面晶格損傷的修復,提高其晶體質(zhì)量,特別適用于摻雜半導體薄膜材料,能夠有效提高其均勻性和晶體質(zhì)量,優(yōu)化薄膜的工藝性能。
聲明:
“具有晶體結(jié)構(gòu)檢測及原位修復功能的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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