本發(fā)明公開了一種InSb晶片損傷層深度的測(cè)試方法，所述方法包括：測(cè)量InSb晶片的重量M以及厚度H；在InSb晶片的第一面設(shè)置隔離膜，并測(cè)量具有隔離膜的InSb晶片的重量M1；對(duì)具有隔離膜的InSb晶片進(jìn)行腐蝕，并對(duì)腐蝕后的InSb晶片進(jìn)行半峰寬測(cè)試；當(dāng)半峰寬測(cè)試值趨于穩(wěn)定，測(cè)量半峰寬測(cè)試值趨于穩(wěn)定的InSb晶片的重量M2，并根據(jù)h＝(M1?M2)×H/M計(jì)算InSb晶片損傷層深度h。采用本發(fā)明，通過對(duì)InSb晶片進(jìn)行腐蝕，利用半峰寬值與損傷層剝離深度的關(guān)系來定量的測(cè)定的損傷層的深度，從而實(shí)現(xiàn)InSb晶片中包含應(yīng)力層在內(nèi)的損傷層的定量測(cè)定，以滿足后續(xù)各個(gè)工藝所要求的InSb晶片最優(yōu)去除量，提高InSb晶片材料的利用率和加工效率，獲得無損傷的InSb晶片、為提升紅外探測(cè)器的性能提供了理論依據(jù)和科學(xué)指導(dǎo)。