本發(fā)明公開(kāi)了一種基于微波信號(hào)的非接觸式導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量方法,包括如下步驟:選取方塊電阻值穩(wěn)定的樣品作為校準(zhǔn)樣品;測(cè)量校準(zhǔn)樣品的方塊電阻、散射參數(shù)特性;依據(jù)校準(zhǔn)樣品測(cè)試數(shù)據(jù)獲得金屬薄膜散射參數(shù)?方塊電阻關(guān)系曲線;測(cè)量待測(cè)樣品的散射參數(shù)特性;依據(jù)薄膜散射參數(shù)?方塊電阻關(guān)系曲線和待測(cè)樣品的散射參數(shù)計(jì)算得到待測(cè)樣品的薄膜方塊電阻。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)無(wú)損測(cè)量導(dǎo)電薄膜方塊電阻,而且能廣泛應(yīng)用于集成電路、
太陽(yáng)能電池、探測(cè)器等領(lǐng)域,具有一定的普適性。
聲明:
“基于微波信號(hào)的非接觸式導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)