本發(fā)明公開了一種InAs/GaSb超晶格紅外探測器及其制作方法,針對現(xiàn)有技術(shù)中,在外延生長數(shù)百周期InAs/GaSb超晶格材料時,InAs與GaSb之間存在晶格失配,累積的應(yīng)力導(dǎo)致InAs/GaSb超晶格材料中形成大量的生長缺陷的問題,本發(fā)明提出一種兩步Sb浸潤的方法,在生長InAs層之后先沉積一層Sb,形成富Sb表面,然后沉積In,之后再沉積一層Sb,使In與Sb充分反應(yīng),形成高質(zhì)量的InSb界面層,以此平衡和消除InAs與GaSb之間的應(yīng)力,提高InAs/GaSb超晶格材料的質(zhì)量。同時,本發(fā)明在InAs/GaSb超晶格結(jié)構(gòu)和GaSb襯底之間引入AlAsSb犧牲層,實現(xiàn)了襯底的無損剝離。
聲明:
“InAs/GaSb超晶格紅外探測器及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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