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基于表面增強拉曼散射效應的碳納米管太赫茲傳感模型

894   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:58:41
一種基于表面增強拉曼散射效應的碳納米管太赫茲傳感模型,由碳納米管球陣列和半導體基底構成,碳納米管球陣列位于半導體基底材料表面,陣列結構為線型陣列或環(huán)形陣列;碳納米管球半徑為0.1-300微米,球與球的表面距離為1-100納米;半導體基底為介電常數(shù)為4-20的任意半導體材料;太赫茲電磁波從傳感模型的側面入射,當太赫茲電磁波的入射頻率與傳感模型的等離子共振頻率接近時,產(chǎn)生最高的等離子體局域電場增強。本發(fā)明的優(yōu)點是:該碳納米管太赫茲傳感模型,使吸附分子的接觸面積增大、靈敏度高、檢測成本低;應用太赫茲波為入射波,使目標待檢物得范圍更廣、生物適應性更好,在無損探測,醫(yī)療檢測上有更廣泛的應用。
聲明:
“基于表面增強拉曼散射效應的碳納米管太赫茲傳感模型” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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