CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器,包括一個雙向光柵耦合器,由一個用于垂直耦合的均勻光柵和兩個模式轉(zhuǎn)換器組成,均勻光柵作為單模光纖的垂直耦合接口,模式轉(zhuǎn)換器用于連接雙向光柵耦合器兩側(cè)多模光波導(dǎo)與單模光波導(dǎo),實(shí)現(xiàn)無損耗光傳輸及模式轉(zhuǎn)換;一個雙介質(zhì)包層,位于雙向光柵耦合器上方,用于抑制對入射光的向上反射;一個CMOS?IC
芯片,作為CMOS后工藝的襯底,其中位于CMOS?IC芯片表面、雙向光柵耦合器底部的金屬焊盤作為雙向光柵耦合器的襯底反射鏡;一個二氧化硅隔離層,位于CMOS?IC芯片和雙向光柵耦合器之間,作為雙向光柵耦合器下包層;一個環(huán)形金屬對準(zhǔn)標(biāo)記,位于雙介質(zhì)包層上方,環(huán)繞在雙向光柵耦合器周圍,用于測試時對單模光纖進(jìn)行對準(zhǔn)。
聲明:
“CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)