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異形金屬基底上的應(yīng)變傳感器芯片及其原位制備方法

1139   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:25
本發(fā)明提供一種異形金屬基底上的應(yīng)變傳感器芯片及其原位制備方法,將異形金屬構(gòu)件作為金屬基底,在金屬基底的易變形部位上原位制備薄膜敏感柵,包括:設(shè)置于金屬基底上的絕緣隔離層;設(shè)置于絕緣隔離層上的薄膜應(yīng)變柵層;設(shè)置于薄膜應(yīng)變柵層上方的絕緣保護(hù)層,絕緣保護(hù)層覆蓋薄膜應(yīng)變柵層的應(yīng)變柵區(qū)域,同時(shí)露出薄膜應(yīng)變柵層的引線電極;當(dāng)異形金屬構(gòu)件發(fā)生變形時(shí),薄膜應(yīng)變柵層的電阻值會(huì)產(chǎn)生變化,通過(guò)薄膜應(yīng)變柵層電阻值的變化能得到異形金屬構(gòu)件所受的物理量。本發(fā)明基于異形金屬基底上原位制備,能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械傳動(dòng)部件應(yīng)變/扭矩的原位、無(wú)損傷測(cè)量,且省去了傳統(tǒng)粘結(jié)劑的使用,在高濕、鹽霧、霉菌等海洋環(huán)境和太空輻照等環(huán)境具有更高的可靠性。
聲明:
“異形金屬基底上的應(yīng)變傳感器芯片及其原位制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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