本發(fā)明公開一種機(jī)械結(jié)構(gòu)件微結(jié)構(gòu)損傷失效檢測分析方法,該方法包括以下步驟:步驟一、缺陷檢測:將待檢測機(jī)械結(jié)構(gòu)件放置在電子加速器的靶頭前照射,用探測器對待檢測機(jī)械結(jié)構(gòu)件進(jìn)行探測;步驟二、缺陷定位:兩個探測器按預(yù)設(shè)角度接收待檢測機(jī)械結(jié)構(gòu)件湮滅放出511keV光子,并兩個能譜通過三維合成云圖,通過云圖展示受檢機(jī)械結(jié)構(gòu)件的缺陷位置;步驟三、S參數(shù)計(jì)算:光譜的定性分析圖,即得到可反映材料劣化信息的S參數(shù);步驟四、缺陷情況分析:對于有缺陷的待檢測機(jī)械結(jié)構(gòu)件,由于電子的動量小,造成的多普勒展寬小,得到的S參數(shù)大。本發(fā)明具有根據(jù)所放出的γ射線強(qiáng)度,評估材料的劣化情形的特點(diǎn)。
聲明:
“機(jī)械結(jié)構(gòu)件微結(jié)構(gòu)損傷失效檢測分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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