本發(fā)明提供一種失效分析去層方法,截取樣品并將其放入激光切割機,確定樣品的失效分析區(qū)域和目標位置;目標位置所在失效分析層為Mx;利用激光切割機制作環(huán)繞目標位置的多個溝槽;溝槽底部位于金屬層Mx+2層上或其以下深度的位置;環(huán)繞目標位置的多個溝槽相鄰彼此相互貫通,溝槽環(huán)繞目標位置的失效分析區(qū)域相對于樣品其他區(qū)域被劃分為基于失效分析的獨立區(qū)域;將樣品置于拋光機上,針對被溝槽環(huán)繞的失效分析區(qū)域進行去層研磨并利用光學(xué)顯微鏡觀察研磨位置,研磨至去除失效分析層Mx以上金屬層,并將失效分析上Mx中的目標位置暴露為止。本發(fā)明的失效分析去層方法在保證
芯片去層精確性、有效性的同時縮短磨樣時間,增強效率。
聲明:
“失效分析去層方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)