本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體失效分析樣品的制備方法,其包括如下步驟:沿預(yù)設(shè)方向,在待分析樣品的選定區(qū)域表面形成多個(gè)分裂點(diǎn),所述分裂點(diǎn)呈一條直線排列;以所述分裂點(diǎn)所在直線為分裂線,分裂所述待分析樣品,暴露出所述待分析樣品的側(cè)面截面,形成所述半導(dǎo)體失效分析樣品。本發(fā)明在待分析樣品表面形成分裂點(diǎn),以所述分裂點(diǎn)為分裂起始處,進(jìn)行分裂操作。采用本發(fā)明的制備方法能夠制備出結(jié)構(gòu)尺寸準(zhǔn)確的失效分析樣品,并且能夠在低成本的前提下,提高制樣成功率,且不會(huì)破壞樣品。
聲明:
“半導(dǎo)體失效分析樣品的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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