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判斷浪涌電流測試中SiC MOSFET失效原因的方法

915   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:34
本發(fā)明公開了一種判斷浪涌電流測試中SiC MOSFET失效原因的方法,在電動機驅(qū)動器和并網(wǎng)系統(tǒng)等高功率變換器中,SiC功率MOSFET及其體二極管可能會遭受大浪涌電流的沖擊,需要研究SiC功率MOSFET的浪涌電流能力和浪涌電流可靠性并判斷其失效原因。對于浪涌電流測試中SiC MOSFET失效原因的判斷主要借助于器件解封后的失效觀察,缺乏與電學(xué)性能有關(guān)的判斷方法。本發(fā)明對SiC MOSFET在正柵偏浪涌電流測試中可能存在的失效原因,提出了一種與電學(xué)性能相關(guān)的判斷方法,能夠根據(jù)浪涌電流測試中浪涌電壓波形的變化規(guī)律判斷SiC MOSFET的失效原因,通過比較最大浪涌電流能力驗證器件的失效原因,避免了對器件進(jìn)行解封觀察,減少了工作量,有利于了解器件的失效過程,補充了SiC MOSFET的可靠性研究。
聲明:
“判斷浪涌電流測試中SiC MOSFET失效原因的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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