本公開是關(guān)于一種存儲(chǔ)器失效測(cè)試方法、存儲(chǔ)器失效測(cè)試裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)器失效測(cè)試方法包括：執(zhí)行存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作；數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作包括：在存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元中寫入預(yù)設(shè)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，相鄰的兩條字線中，在存儲(chǔ)陣列的后一條字線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中寫入與前一條字線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)相反的數(shù)據(jù)；重復(fù)數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作，直到寫完存儲(chǔ)陣列的所有字線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元；讀取存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)，并與寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，獲得比較結(jié)果；根據(jù)比較結(jié)果對(duì)存儲(chǔ)器的失效狀態(tài)進(jìn)行判定。本公開提供一種測(cè)試LIO漏電引起的DRAM資料讀取失效的測(cè)試方法。