本發(fā)明提供了接觸孔失效評估方法,包括:提供評估晶圓,在所述評估晶圓上形成評估器件圖形,所述評估器件圖形包括第一器件區(qū)以及第二器件區(qū);其中,第二器件區(qū)與PMOS晶體管的結構以及尺寸相同;第一器件區(qū)與NMOS晶體管相比,區(qū)別在于對應NMOS晶體管的P阱具有不同的摻雜類型,使得在進行電子束掃描時,第一器件區(qū)中N型摻雜的有源區(qū)的導電能力強于NMOS晶體管的源/漏極;在所述評估晶圓上進行與產品晶圓相同的接觸孔形成工藝;采用電子束掃描評估晶圓的表面,并獲取晶圓表面各處的掃描亮度;本發(fā)明在電子束掃描接觸孔時,形成較亮光斑,從而易于與周圍區(qū)域區(qū)分開,有效避免了機臺對失效接觸孔的漏檢或錯檢。