本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓測試領(lǐng)域,提供了一種
芯片失效的篩選方法,包括:在預(yù)設(shè)溫度狀態(tài)下進行芯片的回流焊實驗,以使得所述芯片中金屬層的第一壓力上升為第二壓力,得到所述第二壓力狀態(tài)下的芯片;當(dāng)從所述預(yù)設(shè)溫度狀態(tài)進入常溫狀態(tài)時,在常溫狀態(tài)下對所述第二壓力狀態(tài)下的芯片進行功能測試和/或電特性測試,以篩選功能異常和/或電特性異常的芯片;其中,所述預(yù)設(shè)溫度為大于常溫的溫度。本發(fā)明通過加劇早期失效芯片損傷狀態(tài)后,在常溫狀態(tài)下測量芯片的功能、電特性,篩除功能異?;螂娞匦援惓5男酒?jīng)過此方法嚴(yán)格卡控的良品芯片可大大降低芯片封裝后出貨的失效率,保證產(chǎn)品品質(zhì)。
聲明:
“芯片失效的篩選方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)