本發(fā)明提供一種金氧半場效晶體管MOSFET的漏電位置檢測方法。基于本發(fā)明提供的方法通過簡單的電路連接,用探針測試就可以鎖定漏電位置;通過本發(fā)明的方法能夠提高漏電失效分析效率,降低漏電分析成本,而且漏電位置定位準(zhǔn)確。
聲明:
“金氧半場效晶體管MOSFET的漏電位置檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)