本發(fā)明涉及一種基于預(yù)載程序動(dòng)態(tài)信號(hào)檢驗(yàn)的STM32總劑量效應(yīng)測(cè)試方法，所述測(cè)試方法基于測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行，所述測(cè)試系統(tǒng)包括載有STM32芯片的最小電路，用于信號(hào)傳輸?shù)耐ㄓ嵞K和用于接收信號(hào)的上位機(jī)；預(yù)載程序包含信號(hào)處理校驗(yàn)、存儲(chǔ)校驗(yàn)和通信校驗(yàn)功能；測(cè)試方法包括如下步驟：布置測(cè)試系統(tǒng)、輻照前參數(shù)校驗(yàn)、輻照及在線功能監(jiān)測(cè)、輻照結(jié)束、輻照后參數(shù)校驗(yàn)、損傷分析。本發(fā)明提供的測(cè)試方法一方面通過(guò)構(gòu)建最小系統(tǒng)得出芯片在實(shí)際運(yùn)行工況下的輻照損傷劑量，另一方面通過(guò)預(yù)載程序的多種動(dòng)態(tài)信號(hào)檢驗(yàn)功能對(duì)芯片內(nèi)部各個(gè)器件的工作狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，得出STM32芯片具體的輻照失效模式和內(nèi)部各器件的耐輻照能力高低。