本發(fā)明公開了一種快速檢測
芯片堆棧結(jié)構(gòu)間段差高度的方法,制作一塊通用測試掩膜板;根據(jù)測試圖形的形狀及關(guān)鍵尺寸的大小建立一個能表征CD和臺階高度之間關(guān)系的標(biāo)定系統(tǒng);將測試圖形以分批或組合的方式,規(guī)則且均勻的放置于通用測試掩膜板內(nèi);在硅片上涂布光刻膠;曝光、顯影形成所需的測試圖形;對所形成的測試圖形關(guān)鍵尺寸進(jìn)行測量或觀測外觀的變化;根據(jù)測量或觀測的結(jié)果對照標(biāo)定系統(tǒng)得出功率器件工藝中存在的臺階高度。本發(fā)明不僅能直接探測實(shí)際硅片狀況,避免功率器件工藝開發(fā)過程中由臺階高度造成器件物理性失效,而且相對于傳統(tǒng)方法降低了開發(fā)成本,以及對研發(fā)人員經(jīng)驗(yàn),理論基礎(chǔ)的依賴程度。
聲明:
“快速檢測芯片堆棧結(jié)構(gòu)間段差高度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)