本發(fā)明涉及一種鎢接觸栓塞高阻的檢測(cè)方法。包括以下步驟:將半導(dǎo)體樣品研磨至鎢栓塞接觸層;在所述半導(dǎo)體樣品的待觀測(cè)區(qū)域形成兩個(gè)用于確定失效地址的位置標(biāo)記,并在靠近失效地址處形成停止標(biāo)記;研磨半導(dǎo)體樣品的橫截面直至停止標(biāo)記;將半導(dǎo)體樣品在沸騰的雙氧水中浸煮,直到去除金屬鎢,露出硅鈷化物層;制備平面TEM樣品;采用STEM觀測(cè)平面TEM樣品。本發(fā)明的技術(shù)方案先移出金屬鎢,然后通過STEM模式觀測(cè)硅鈷化物的生長形貌和質(zhì)量,從而可以快速找到鎢接觸栓塞高阻的原因,指明工藝的改進(jìn)方向,對(duì)改善鎢接觸栓塞高阻的形成具有非常重要的作用。
聲明:
“鎢接觸栓塞高阻的檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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