本公開(kāi)實(shí)施例中提供了一種正交形柵測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試裝置及方法及系統(tǒng),屬于半導(dǎo)體器件測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,具體包括半導(dǎo)體基底,多個(gè)鰭層,控制柵和隔離柵,其中每?jī)蓚€(gè)控制柵之間,間隔預(yù)定個(gè)數(shù)的隔離柵;第一金屬連線,第一接觸孔,交替設(shè)置于控制柵的兩側(cè),第一接觸孔中沉積有金屬層,用于連接相鄰的兩個(gè)鰭層,以使多個(gè)鰭層形成一正交形結(jié)構(gòu)。本方案用于檢測(cè)因制造工藝出現(xiàn)問(wèn)題導(dǎo)致的接觸孔填充缺陷,有效找出工藝缺陷,獲得失效點(diǎn)的位點(diǎn)圖,具有較高的集成度和可觀測(cè)性,有利于用戶準(zhǔn)確預(yù)測(cè)晶圓的良率。
聲明:
“正交形柵測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試裝置及方法及系統(tǒng)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)