本發(fā)明公開了一種數(shù)字坐標(biāo)軸,由硅襯底上的柵氧化膜上的
多晶硅圖案組成且位于測(cè)試結(jié)構(gòu)的周圍,測(cè)試結(jié)構(gòu)和數(shù)字坐標(biāo)軸制作在同一層光罩中。數(shù)字坐標(biāo)軸包括水平數(shù)字坐標(biāo)軸和垂直數(shù)字坐標(biāo)軸,水平數(shù)字坐標(biāo)軸和垂直數(shù)字坐標(biāo)軸的長(zhǎng)度分別大于測(cè)試結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度和寬帶、滿足能夠?qū)y(cè)試結(jié)構(gòu)的所有點(diǎn)進(jìn)行定位。本發(fā)明還公開了一種柵氧化膜可靠性測(cè)試方法,包步驟:形成數(shù)字坐標(biāo)軸、對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行EMMI測(cè)試并用數(shù)字坐標(biāo)軸記錄發(fā)光點(diǎn)位置、進(jìn)行FIB測(cè)試。本發(fā)明數(shù)字坐標(biāo)軸能夠?yàn)闇y(cè)試結(jié)構(gòu)提供精確的坐標(biāo),能為柵氧化膜可靠性測(cè)試方法中的發(fā)光點(diǎn)進(jìn)行精確定位并提供數(shù)字化坐標(biāo),能為FIB切割定位提供準(zhǔn)確位置,能提高失效分析的成功率。
聲明:
“數(shù)字坐標(biāo)軸及柵氧化膜可靠性測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)