本申請公開了一種測試絕緣雙極型晶體管
芯片的方法,通過調(diào)取絕緣雙極型晶體管芯片模型;在所述絕緣雙極型晶體管芯片模型的鍵合線與鍵合面處設(shè)置芯片表面金屬層;對設(shè)置芯片表面金屬層后的絕緣雙極型晶體管芯片模型進(jìn)行仿真模擬,得到模擬失效數(shù)據(jù),并通過所述模擬失效數(shù)據(jù)得到與所述絕緣雙極型晶體管芯片模型對應(yīng)的絕緣雙極型晶體管芯片的測試結(jié)果。由于金屬層對器件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與導(dǎo)熱導(dǎo)電中均起到重要作用,同時也影響著所述鍵合線與所述鍵合面的連接結(jié)構(gòu),因此,本申請?zhí)峁┑哪P透N近實(shí)際工作中的情況,得到的測試結(jié)果也就更準(zhǔn)確。本申請同時還提供了一種具有上述有益效果的測試絕緣雙極型晶體管芯片的裝置、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。
聲明:
“測試絕緣雙極型晶體管芯片的方法、裝置及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)