本發(fā)明提供一種用于測試SRAM周期時間的電路及方法,包括連接SRAM的地址循環(huán)移位寄存器、數(shù)據(jù)循環(huán)移位寄存器以及控制循環(huán)移位寄存器,可利用各個循環(huán)移位寄存器中預先配置的初始值和后續(xù)輸入的時鐘脈沖信號,來直接產(chǎn)生下一個測試用的地址信號、數(shù)據(jù)信號以及控制信號,無需通過復雜的算法和邏輯計算,電路結(jié)構(gòu)簡單,測試速度快,能夠大大縮短半導體集成電路的整體測試時間;同時循環(huán)移位寄存器的設(shè)置避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于SRAM外圍的BIST電路先失效而導致測試失誤的問題。
聲明:
“用于測試SRAM周期時間的電路及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)