本發(fā)明提供一種SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器的短路保護(hù)電路,包括溫度檢測(cè)電路和控制電路;溫度檢測(cè)電路與SiC MOSFET連接,用于采集SiC MOSFET所在的散熱器的溫度,并將采集的溫度轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);控制電路用于基于電壓信號(hào)和預(yù)設(shè)的電壓偏差確定基準(zhǔn)電壓,控制電路還與SiC MOSFET連接,用于檢測(cè)SiC MOSFET的SiC MOSFET漏極和源極之間的電壓,并基于檢測(cè)的電壓和基準(zhǔn)電壓對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行控制,實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷,本發(fā)明能夠?qū)iC MOSFET進(jìn)行精準(zhǔn)保護(hù),不易誤動(dòng)作,保護(hù)能力強(qiáng),避免SiC MOSFET由于結(jié)溫過(guò)高而失效,延長(zhǎng)了SiC MOSFET的使用壽命;大大提高了驅(qū)動(dòng)器的可靠性,使驅(qū)動(dòng)器能夠可靠驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET動(dòng)作。
聲明:
“SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器的短路保護(hù)電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)