本發(fā)明提供一種對半導(dǎo)體制造中的晶圓進(jìn)行監(jiān)控的方法和掩膜版。所述方法包括:獲取待監(jiān)控的半導(dǎo)體工藝及其設(shè)計規(guī)則;根據(jù)所述設(shè)計規(guī)則設(shè)計監(jiān)控圖形,所述監(jiān)控圖形包括產(chǎn)品晶圓上對應(yīng)于所述半導(dǎo)體工藝的關(guān)鍵圖形;制作所述產(chǎn)品晶圓的掩膜版,其中,在制作所述掩膜版的過程中將所述監(jiān)控圖形導(dǎo)入所述產(chǎn)品晶圓的所述掩膜版的切割道區(qū)域;制造所述產(chǎn)品晶圓并在制造所述產(chǎn)品晶圓的過程中進(jìn)行所述產(chǎn)品晶圓的失效分析。根據(jù)本發(fā)明,使后續(xù)制造的產(chǎn)品晶圓中同時得到各種不同監(jiān)控工藝的監(jiān)控圖形結(jié)構(gòu),工作量低、分析效率高;針對同一種工藝,在不同產(chǎn)品上實現(xiàn)監(jiān)控圖形的整體形貌的監(jiān)控,避免監(jiān)控產(chǎn)品更改所帶來的影響,數(shù)據(jù)規(guī)范統(tǒng)一,可實現(xiàn)工藝長期監(jiān)控。
聲明:
“對半導(dǎo)體制造中的晶圓進(jìn)行監(jiān)控的方法和掩膜版” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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