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半導體器件和制作方法

848   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 09:01:26
本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件和制作方法。該半導體器件包括:襯底;第一絕緣層,位于襯底的表面上;電極層,位于第一絕緣層的遠離襯底的表面上;第二絕緣層,位于電極層的遠離第一絕緣層的表面上,第二絕緣層具有間隔設置的多個通孔,各通孔使得電極層的部分表面裸露,第二絕緣層的材料和/或第一絕緣層的材料包括非晶碳化硅。該半導體器件中第一絕緣層的材料和/或第二絕緣層的材料為非晶碳化硅,該材料可以有效防止由于海水腐蝕造成的器件失效的問題,極大的提高了半導體器件的使用壽命。此外,碳化硅對于強酸強堿等強腐蝕性溶液,也有很好的抗腐蝕性,可以較好的滿足海水原位檢測的應用。
聲明:
“半導體器件和制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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