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CMOS器件極限低溫特性評價方法

1182 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 09:01:44

本發(fā)明提供了一種CMOS器件極限低溫特性評價方法，包括以下步驟：步驟1：確定被測CMOS器件與測試參數；步驟2：搭建極限低溫測試平臺；步驟3：開展常溫測試與極限低溫測試；步驟4：確定CMOS器件極限低溫下的關鍵參數；步驟5：建立以關鍵參數表征的CMOS器件應力強度干涉模型；步驟6：計算CMOS器件極限低溫失效概率。該方法考慮到在極限低溫環(huán)境下CMOS器件會出現載流子凍析效應，造成器件的性能參數漂移甚至失效，搭建了一套極限低溫測試平臺對CMOS器件開展極限低溫測試，并根據測試結果，使用應力強度干涉模型評價CMOS器件的極限低溫特性，計算出CMOS器件極限低溫下的失效概率，此方法彌補了CMOS器件低溫測試及評價方面的技術空白，且利于推廣實現。

聲明：

“CMOS器件極限低溫特性評價方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)