本發(fā)明涉及具有非易失性地存儲冗余數(shù)據(jù)的ECC保護保留區(qū)域的NAND閃存器件?;救哂嘈畔⒈环且资缘卮鎯υ陉嚵械目蓪ぶ穮^(qū)域的保留區(qū)域并在存儲器件每次上電時被復(fù)制在易失性存儲載體上。失效陣列元件也在存儲陣列的這種保留區(qū)域中的不可預(yù)測的但是在統(tǒng)計上不可避免的存在將破壞在制造過程的晶片上測試(EWS)階段期間所確定的基本冗余信息并因此增加次品數(shù)量,從而降低制造過程的產(chǎn)量,這種存在通過在陣列的保留區(qū)域中根據(jù)在制造過程中通過器件的晶片上測試所確定的存儲單元的失效概率以ECC技術(shù)寫入基本冗余數(shù)據(jù)來有效地克服,該ECC技術(shù)使用確定的可以選自所謂的擇多碼3、5、7、15等或針對1、2、3個或更多錯誤的海明碼的糾錯碼。
聲明:
“具有非易失性地存儲冗余數(shù)據(jù)的保留區(qū)域的與非閃存器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)