本發(fā)明適用于芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種不良芯片篩選方法，所述方法是根據(jù)預(yù)設(shè)的熱力學(xué)篩選方法對(duì)待篩選的芯片進(jìn)行熱力學(xué)性能篩選，得到符合熱力學(xué)要求的芯片，再根據(jù)預(yù)設(shè)的電學(xué)篩選方法對(duì)所述符合熱力學(xué)要求的芯片進(jìn)行電學(xué)性能篩選，得到符合電學(xué)性能要求的芯片，通過(guò)同時(shí)對(duì)待篩選芯片進(jìn)行熱力學(xué)測(cè)試和電學(xué)參數(shù)測(cè)試，能夠有效保證芯片出廠的合格率；最后獲取所述符合電學(xué)性能要求的芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)，并基于正態(tài)分布原理篩選出電學(xué)參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)符合3σ原則的芯片，能夠篩選出具有高度一致的電學(xué)參數(shù)的良品，剔除存在失效風(fēng)險(xiǎn)的良品，從而進(jìn)一步提高芯片出廠的合格率。