本實(shí)用新型公開了一種監(jiān)控△Tj大電流功率循環(huán)的電路控制結(jié)構(gòu),包括被測(cè)MOS管Q1、電壓源VR、電流源Im、按鍵開關(guān)K1、按鍵開關(guān)K2、按鍵開關(guān)K3、按鍵開關(guān)K4、電阻R1、寄生二極管D1和電壓表,按鍵開關(guān)K1的一端接電壓源VR,按鍵開關(guān)K1的另一端分別與被測(cè)MOS管Q1的4引腳和按鍵開關(guān)K4的一端電性連接,按鍵開關(guān)K4的另一端接?5V電壓,被測(cè)MOS管Q1的1引腳分別與寄生二極管D1負(fù)極和電壓表的一端電性連接其節(jié)點(diǎn)接+5V電壓。本實(shí)用新型克服了傳統(tǒng)的MOSFET間歇壽命試驗(yàn)中由于沒有設(shè)置結(jié)溫監(jiān)控導(dǎo)致在試驗(yàn)中易出現(xiàn)器件失效的風(fēng)險(xiǎn)的問題。本實(shí)用新型具有按鍵的使用壽命長(zhǎng)、具有防塵功能、采集數(shù)據(jù)方便、計(jì)算數(shù)據(jù)方便和測(cè)量精度較高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“監(jiān)控△Tj大電流功率循環(huán)的電路控制結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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