本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器
芯片擾碼驗(yàn)證方法,包含如下步驟:第一步,選取封裝好的樣品芯片,根據(jù)芯片厚度大小將樣品芯片從背面開(kāi)始研磨;第二步,采用化學(xué)腐蝕的方式繼續(xù)腐蝕樣品芯片背面;第三步,對(duì)存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行物理?yè)p傷并記錄物理?yè)p傷的物理地址;第四步,對(duì)樣品芯片背面加保護(hù)蓋,轉(zhuǎn)移至手動(dòng)測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試;第五步,選取2~20顆樣品芯片,重復(fù)以上步驟,每顆樣品芯片測(cè)試存儲(chǔ)區(qū)域的不同位置,找出失效的電學(xué)地址,并結(jié)合第三步的物理地址計(jì)算出物理地址與電學(xué)地址之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
聲明:
“存儲(chǔ)器芯片擾碼驗(yàn)證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)