本發(fā)明公開了一種通過故障隔離技術(shù)提高內(nèi)存可靠性的方法,所述方法通過測(cè)試程序,在DRAM顆粒在出廠后,將使用過程中即將變壞的Cell地址信息動(dòng)態(tài)地加入到“失效地址列表”中,讓內(nèi)存控制器不去訪問這一塊的地址空間,從而延長(zhǎng)內(nèi)存系統(tǒng)的使用壽命。本發(fā)明方法可達(dá)到提高內(nèi)存系統(tǒng)可靠性的目的,降低由于內(nèi)存故障引起系統(tǒng)宕機(jī)的風(fēng)險(xiǎn),減少因?yàn)閮?nèi)存原因引起的故障,提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,經(jīng)濟(jì)效益明顯。
聲明:
“通過故障隔離技術(shù)提高內(nèi)存可靠性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)